时间：2025/9/2 11:01:20
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H5TC4G63AFR-11C是一款由SK Hynix公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片的容量为4GB，适用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等需要大量内存的应用场景。H5TC4G63AFR-11C采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具备较高的存储密度和较快的存取速度。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V
数据传输速率：2133Mbps
时钟频率：1066MHz
CAS延迟：11
行地址位数：16
列地址位数：10
刷新周期：64ms
H5TC4G63AFR-11C是一款低电压、高性能的DRAM芯片，支持2133Mbps的数据传输速率，适用于需要高带宽内存的系统设计。其工作电压为1.35V，相比于标准电压的DRAM芯片，能够在保证性能的同时降低功耗，适用于对能效有较高要求的应用场景。该芯片支持1066MHz的时钟频率，CAS延迟为11，提供了较高的数据存取效率。
H5TC4G63AFR-11C采用FBGA封装技术，具有良好的电气性能和散热能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其存储容量为4GB，适用于需要大容量内存的计算平台，如服务器、高性能计算设备和高端嵌入式系统。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式，延长系统的续航时间。
此外，H5TC4G63AFR-11C的兼容性较好，能够与多种内存控制器配合使用，简化了系统设计和集成。其16位行地址和10位列地址的设计，支持大容量内存寻址，能够满足现代高性能计算平台对内存容量和带宽的需求。这款DRAM芯片广泛应用于数据中心、云计算、图形处理和网络设备等领域，是一款性能稳定、可靠性高的存储解决方案。
H5TC4G63AFR-11C广泛应用于需要高性能内存的设备中，包括服务器、工作站、网络交换机、路由器、图形加速卡以及嵌入式计算系统。由于其低电压设计和较高的数据传输速率，该芯片也适用于对能效和性能有较高要求的便携式电子设备。
H5TC4G63AFR-11C的替代型号包括H5TC4G63AFR-13C和H5TC4G63AFR-15C，这些型号在性能和封装上相似，但可能在时钟频率和功耗方面有所差异。
