时间：2025/12/28 5:44:41
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RP112Q182B-TR-FE是一款由Nisshinbo Micro Devices Inc.（日本新星半导体）生产的高精度、低功耗、低压差线性稳压器（LDO），广泛应用于便携式电子设备和对电源噪声敏感的系统中。该器件属于RP112系列，采用DFN(PLP)封装形式，具有超小型尺寸，非常适合空间受限的应用场景。RP112Q182B-TR-FE的标称输出电压为1.8V，出厂时已固定，无需外部反馈电阻即可实现稳定输出。其设计重点在于提供极低的静态电流（典型值约2.0μA），从而显著延长电池供电设备的工作时间。此外，该LDO具备出色的负载调整率和线路调整率，能够在输入电压波动或负载变化的情况下维持稳定的输出电压。器件支持宽输入电压范围（通常可达3.0V至5.5V），适用于多种单节锂电池或标准电源轨供电的应用。RP112Q182B-TR-FE集成了多种保护功能，包括过流保护和热关断保护，增强了系统的可靠性与安全性。得益于其优异的瞬态响应特性和低输出噪声性能，该芯片特别适合为微控制器单元（MCU）、传感器、射频模块、音频电路以及实时时钟（RTC）等精密模拟或数字电路供电。
型号：RP112Q182B-TR-FE
制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
产品系列：RP112
封装类型：DFN(PLP)
引脚数：4
输出电压：1.8V（固定）
输出电压精度：±2%
最大输出电流：300mA
压差电压：300mV@300mA（典型值）
静态电流：2.0μA（典型值）
关断电流：0.1μA（最大值）
输入电压范围：3.0V ~ 5.5V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
保护功能：过流保护、热关断
稳定性要求：陶瓷电容（推荐1.0μF）
安装方式：表面贴装
RP112Q182B-TR-FE具备多项先进的电气与物理特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其超低静态电流（仅2.0μA）极大地优化了待机或轻载状态下的能效表现，对于依赖电池长期运行的物联网节点、可穿戴设备和无线传感器网络而言至关重要。其次，该器件采用CMOS工艺制造，结合内部补偿电路，确保在整个负载范围内保持稳定工作，且仅需一个小型1.0μF陶瓷电容器即可满足稳定性要求，大幅减小了外围元件体积和整体BOM成本。
第三，RP112Q182B-TR-FE具有快速的瞬态响应能力，在负载电流发生突变时能够迅速调整输出电压，防止电压跌落或过冲，保障后级敏感电路的正常运行。这对于动态负载变化频繁的微处理器或通信模块尤为重要。第四，该LDO拥有出色的线路调节率（0.05%/V）和负载调节率（0.1%/mA），即使输入电源存在波动或负载电流变化较大，也能维持输出电压的高度稳定。
第五，其封装采用DFN(PLP)形式，尺寸紧凑（通常为1.6mm×1.6mm×0.55mm），不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度集成设计。此外，该器件内置了过电流保护和热关断机制，当出现短路或过温情况时自动切断输出，避免损坏芯片或系统。最后，RP112Q182B-TR-FE在生产过程中经过严格的测试和筛选，保证了输出电压精度高达±2%，提升了系统的一致性和可靠性，适用于工业控制、消费电子和医疗设备等多种严苛环境下的应用需求。
RP112Q182B-TR-FE因其高精度、低功耗和小尺寸的特点，被广泛应用于各种对电源管理要求较高的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手环、TWS耳机、蓝牙音箱和移动支付终端，它常用于为MCU、传感器和无线收发模块提供干净稳定的1.8V电源，有效延长电池续航时间。在工业自动化领域，该LDO可用于为PLC中的信号调理电路、远程I/O模块及低功耗微控制器供电，确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。
在汽车电子方面，尽管该型号并非AEC-Q100认证产品，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的辅助电源或后排乘客设备中，特别是在非动力总成区域的小功率模块上。在通信设备中，RP112Q182B-TR-FE适用于为Wi-Fi模组、Zigbee、LoRa或NB-IoT等低功耗广域网（LPWAN）模块供电，有助于降低整体系统噪声并提升射频性能。
此外，在医疗健康类设备如血糖仪、体温计、助听器和便携式监护仪中，该芯片凭借其低噪声和高稳定性，能够为精密模拟前端（AFE）和数字逻辑电路提供可靠的电源支持。同时，由于其支持陶瓷输出电容且无需额外的ESR要求，简化了设计流程，提高了系统的长期可靠性。在智能家居系统中，例如智能门锁、温控器和环境监测设备中，该LDO也常作为主控芯片的核心供电源之一，满足长时间待机和突发唤醒的工作模式需求。
XC6223B182MR-G
