APT50M50JLL 时间：2025/7/26 4:10:46 阅读：7

APT50M50JLL是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的功率MOSFET模块，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品系列。这款器件设计用于高功率、高频应用，具有出色的导通和开关性能，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。APT50M50JLL采用了先进的沟道技术，具备高电流容量和低导通电阻的特点，使其在高温环境下也能保持稳定运行。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SIP（单列直插式封装）
　　安装方式：通孔安装

特性

APT50M50JLL功率MOSFET模块具有多项显著的技术特性。首先，其最大漏源电压（Vds）为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的应用。最大漏极电流（Id）为50A，表明该模块具备较高的电流承载能力，适合用于高功率负载的控制。APT50M50JLL的导通电阻（Rds(on)）为0.18Ω，该值较低，能够在导通状态下减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为120nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体性能。APT50M50JLL的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性，适用于各种严苛的环境条件。其封装形式为SIP（单列直插式封装），便于安装和散热设计，适用于需要高效散热的功率应用。
　　在电气特性方面，APT50M50JLL采用了先进的沟道技术，确保在高电压和大电流条件下依然具备优异的性能表现。其栅极驱动电压范围较宽，通常为10V至15V，允许灵活的驱动电路设计。同时，该模块具备较高的短路耐受能力，能够在突发故障情况下提供一定程度的保护。APT50M50JLL的结构设计优化了热阻，使其在连续工作状态下保持较低的温升，延长使用寿命。

应用

APT50M50JLL功率MOSFET模块广泛应用于多种高功率电子系统。其主要应用领域包括工业电源、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电焊机、感应加热设备等。在电机控制应用中，APT50M50JLL可用于构建高效的H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。在电源转换系统中，该模块可用于构建高效的DC-DC转换器或AC-DC整流器，适用于通信设备、服务器电源、工业自动化设备等。此外，APT50M50JLL还适用于需要高频开关的场合，如高频感应加热和电磁炉控制。由于其具备较高的短路耐受能力和良好的热稳定性，该模块在高可靠性要求的应用中表现尤为出色。