类型：PIN 二极管
　　最大反向电压：100 V
　　最大正向电流：500 mA
　　串联电阻（Rs）：0.6 Ω
　　结电容（Cj）：0.3 pF @ 1 MHz, 1 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 1 ns
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-65 °C 至 +175 °C
　　热阻（Rth）：350 K/W
　　峰值射频功率处理能力：>100 W（典型值，取决于偏置条件）
　　截止频率（fco）：>30 GHz
　　隔离度：>40 dB @ 1 GHz
　　插入损耗：<0.3 dB @ 1 GHz

RMS-42MH+ 作为一种高性能的射频 PIN 二极管，具备多项关键特性，使其在高频模拟和射频电路中表现出色。首先，其极低的结电容（典型值为 0.3 pF）显著降低了在高频信号路径中的容抗影响，从而提升了器件在 GHz 频段下的响应能力和带宽表现。这一特性使得它非常适合用于高频开关和调谐电路，在 1 GHz 至 10 GHz 范围内能够实现高效的信号切换与控制。其次，该器件拥有非常低的串联电阻（仅为 0.6 Ω），这直接决定了其在导通状态下的插入损耗极小，有助于提升整个系统的效率并减少信号衰减。
　　另一个突出特点是其快速的反向恢复时间（典型值为 1 ns），这意味着该二极管可以在极短时间内完成从导通到截止的状态转换，特别适合高速射频开关应用，如 T/R 模块中的天线切换或雷达系统的脉冲调制。此外，RMS-42MH+ 具备高达 100 V 的最大反向电压承受能力，使其在高功率环境中依然保持稳定，避免因电压击穿导致的失效问题。结合其 500 mA 的最大正向电流承载能力，该器件可在较宽的偏置条件下可靠运行。
　　该器件采用 SOD-323 小型表面贴装封装，不仅节省 PCB 空间，还具备良好的热传导性能，通过优化的芯片布局和封装材料实现了较低的热阻（350 K/W），有效防止因局部过热引发的性能退化。其工作温度范围覆盖 -55°C 到 +150°C，满足军用级和工业级应用的严苛环境要求。此外，RMS-42MH+ 经过严格的老化测试和可靠性验证，符合 RoHS 和无铅焊接标准，适用于自动化贴片生产线，保证了大批量制造的一致性与良率。

RMS-42MH+ 主要应用于需要高性能射频开关和信号控制功能的电子系统中。一个典型的应用场景是射频开关模块，尤其是在多通道通信系统中，用于实现发射与接收路径之间的快速切换。由于其低插入损耗和高隔离度，该二极管可确保信号路径间的串扰最小化，提高系统信噪比。在相控阵雷达和电子战系统中，RMS-42MH+ 常被用于构建 T/R（收发）模块中的开关网络，支持毫米波频段的操作，满足现代雷达对高精度和高响应速度的需求。
　　此外，该器件也广泛用于可变衰减器电路，利用 PIN 二极管的偏置电流调节其阻抗特性，实现对射频信号幅度的精确控制。在自动增益控制（AGC）系统或功率管理单元中，RMS-42MH+ 可以作为核心元件参与动态电平调节。在测试与测量仪器中，例如矢量网络分析仪或信号发生器，该二极管用于内部信号路由选择，确保不同测试模式下的信号完整性。
　　在无线基础设施方面，RMS-42MH+ 被用于基站前端模块中的天线调谐和阻抗匹配电路，特别是在支持多频段操作的 LTE 和 5G 宏站及小基站中发挥重要作用。其高功率处理能力和稳定性也使其适用于工业加热、医疗射频能量设备等 ISM 频段应用场景。此外，在卫星通信终端和航空航天电子系统中，该器件因其高可靠性和宽温域适应能力而成为首选组件之一。

MA4P7470-1065T
　　HSMS-286x 系列
　　BAR50-03W