TK5402是一款由东芝(Toshiba)公司设计和生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品。该器件主要用于高效功率转换和管理领域,如电源供应器、DC-DC转换器、马达控制以及各类需要高效率和快速开关特性的应用。TK5402采用了先进的工艺技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能,适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。该MOSFET通常以表面贴装封装形式提供,例如SOP(Small Outline Package)或类似的封装,便于自动化生产和高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):20V
最大漏极电流(ID):4.1A
导通电阻(RDS(on)):典型值为23mΩ(在VGS=4.5V时)
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V至2.5V
最大功耗(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOP-8
TK5402具备多项优异的电气和物理特性,适用于高性能功率应用。首先,它的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,在4.1A的额定漏极电流下仍能保持良好的稳定性和热管理性能。此外,TK5402的栅极阈值电压较低,可在低电压控制系统中实现快速开启,适用于由微控制器或其他低压IC直接驱动的应用场景。
在热管理方面,TK5402采用了优化的封装设计,提高了散热效率,确保在高负载条件下仍能稳定运行。其SOP-8封装形式不仅有助于减少PCB空间占用,还便于实现自动化贴片生产和良好的焊接可靠性。
TK5402还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性,适合在复杂电磁环境中使用。该器件符合RoHS环保标准,适用于各类绿色电子产品的设计。
TK5402广泛应用于多种功率管理和开关控制电路中。在电源管理系统中,TK5402可用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统,提供高效能和稳定性的功率控制。在电机驱动应用中,它可用于H桥电路中的低边或高边开关,实现对直流电机或步进电机的高效控制。
消费类电子产品中,TK5402可用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块,帮助实现更长的续航时间和更小的电路体积。在汽车电子中,该MOSFET可用于车载充电器、LED照明控制系统和电动助力转向系统等场景。
工业自动化设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和伺服驱动器中,TK5402也能够提供可靠的功率开关功能,满足高频率和高精度的控制需求。
Si2302DS, AO3400A, IRF7301, BSS138K