型号：RM50DA-34F
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：50A（Tc=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：0.034Ω（Max，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V～5.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Pd）：200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220F（绝缘型）
　　引脚数：3
　　连续漏极电流（Id RMS）：35A（Tc=100°C）
　　反向恢复时间（trr）：典型值75ns
　　输入电容（Ciss）：典型值3200pF
　　输出电容（Coss）：典型值850pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值110pF

RM50DA-34F具备优异的动态与静态电气特性，使其在高频开关电源中表现卓越。其导通电阻低至0.034Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其在大电流负载条件下优势明显。该器件采用ROHM独有的超级结（Super Junction）结构设计，优化了电场分布，实现了在600V高耐压下仍保持低Rds(on)，从而提升了功率密度。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为60nC，有助于减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高达100kHz以上的高频开关拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激式电源等。
　　该器件具备良好的热稳定性，其热阻（Rth(j-c)）低至0.625°C/W，确保在高功率工作状态下结温上升缓慢，延长使用寿命。TO-220F封装提供电气绝缘功能，允许直接安装于接地散热器上，简化了绝缘垫片的设计需求，提高了系统的安全性和装配效率。RM50DA-34F还具备较强的抗雪崩能量能力（EAS），能够承受意外过压或电感负载突变带来的瞬态应力，增强了系统鲁棒性。
　　此外，该MOSFET具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），有效减少了体二极管在硬开关过程中的反向恢复损耗和噪声干扰，降低了EMI风险。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备高可靠性，可承受±30V的栅源电压冲击，防止因驱动电路波动导致的栅极击穿。所有这些特性使得RM50DA-34F在工业电源、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电模块及家电变频系统中均能稳定运行，满足严苛环境下的长期可靠性要求。

RM50DA-34F广泛应用于各类中高功率开关电源和电力电子变换系统中。常见用途包括通信电源、服务器电源、工业用AC-DC和DC-DC转换器，特别是在PFC（功率因数校正）升压电路中作为主开关器件，发挥其高耐压、低损耗的优势。该器件也适用于太阳能微型逆变器、储能系统中的双向DC-DC模块以及电动工具、家电类变频驱动电路中。
　　由于其通过AEC-Q101车规认证，RM50DA-34F可在车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、辅助电源单元等汽车电子系统中使用，满足汽车行业对温度循环、振动和长期可靠性测试的严苛要求。此外，在工业自动化设备、医疗电源、LED大功率驱动电源等领域也有广泛应用。
　　得益于其高效率和紧凑封装，该MOSFET支持小型化电源设计，适用于追求高功率密度和低待机功耗的产品开发。其绝缘型TO-220F封装特别适合需要电气隔离的高压应用，避免额外绝缘材料的使用，降低系统成本并提高装配效率。因此，RM50DA-34F是现代高效能、高可靠性电源系统中不可或缺的关键元件之一。

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