FAS466 时间：2025/8/13 0:22:48 阅读：10

FAS466 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计和制造的双路 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高效能、低导通电阻和高功率密度的应用而设计，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备。FAS466 采用了先进的 MOSFET 技术，使其在低电压驱动条件下仍能保持优异的性能。该器件采用 8 引脚的 SOIC 封装，具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：5.8A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SO-8
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　栅极电荷（Qg）：14nC
　　输入电容（Ciss）：580pF

特性

FAS466 的主要特性之一是其双路 N 沟道 MOSFET 构造，使其能够在单个芯片上实现两个独立的功率开关。这种结构非常适合用于需要双路负载控制的应用，如 H 桥电机驱动或双通道 DC-DC 转换器。此外，FAS466 具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件支持较高的栅极驱动电压（最高 ±20V），使其在高频率开关应用中表现出色，同时具有较低的开关损耗。
　　该器件的封装形式为 SO-8，具有良好的热管理能力，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。FAS466 还具有较高的耐用性和抗干扰能力，适用于各种工业和消费类电子应用。此外，该 MOSFET 在低 VGS 电压下（例如 4.5V）仍能维持较低的 RDS(on)，使其兼容多种控制器和驱动电路。
　　在安全性和可靠性方面，FAS466 设计有内置的过温保护机制，能够在极端工作条件下防止器件损坏。其较高的最大工作温度上限（150°C）也使得该器件在高温环境下依然能够稳定运行。

应用

FAS466 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　? 电源管理模块：如同步整流器、负载开关和电源分配系统。
　　? DC-DC 转换器：用于笔记本电脑、服务器、通信设备等高效率电源转换电路。
　　? 电池管理系统：用于便携式电子设备中的充放电控制和电池保护。
　　? 马达控制：如直流电机驱动器和步进电机控制电路。
　　? 工业自动化：如可编程逻辑控制器（PLC）和工业机器人中的功率开关。
　　? 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源控制模块。