JANS1N5811US 是一款肖特基二极管,属于高频、低压降二极管类型,广泛用于需要快速开关和低功耗的应用场景。该器件由 Vishay Semiconductors 生产,符合军用规格(MIL-PRF-19500/116),适用于航空航天、军事装备以及高可靠性工业系统。其主要特点是具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间,能够有效提升电路效率并减少能量损耗。
类型:肖特基二极管
最大正向电流(IF):1A
峰值反向电压(VR):40V
正向电压降(VF):最大0.45V @ IF = 1A
反向漏电流(IR):最大500μA @ VR = 40V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-213AB(玻璃封装)
结电容(Cj):约25pF @ VR = 0V
安装类型:通孔(Through Hole)
JANS1N5811US 的核心特性之一是其采用了肖特基势垒结构,这种结构使得该二极管在正向导通时的电压降比传统硅二极管更低,通常在1A电流下仅为0.45V左右,从而减少了导通损耗,提高了能效。此外,该器件的反向恢复时间极短,通常在纳秒级别,使其非常适合用于高频整流和开关电源应用。
另一个关键特性是其优异的温度稳定性。JANS1N5811US 能够在-55°C至+150°C的极端温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的高可靠性系统,如航空航天设备、军事通信系统以及工业控制设备等。此外,该二极管采用玻璃封装,具有良好的机械强度和密封性,能够有效防止湿气和尘埃的侵入,从而延长使用寿命。
在电气性能方面,JANS1N5811US 的最大反向电压为40V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源转换和保护电路。其低结电容(约25pF)也使得该器件在高速开关应用中表现出色,减少了信号失真和寄生效应,提高了整体系统的稳定性。
JANS1N5811US 主要用于对可靠性和性能要求较高的领域。例如,在航空航天系统中,它可用于电源转换器、电压调节模块以及信号保护电路;在军事装备中,该器件常用于通信设备、雷达系统和电子战设备中的整流和保护电路。
此外,JANS1N5811US 也广泛应用于工业控制系统、不间断电源(UPS)、电池充电器和DC-DC转换器中。在这些应用中,其低正向电压降和快速恢复时间能够有效提升系统效率,减少发热,延长设备寿命。由于其高可靠性,该器件也常用于汽车电子系统中,如车载充电系统、发动机控制模块和车载通信设备等。
在科研和测试设备中,JANS1N5811US 可用于构建高频整流电路、电源管理模块和电压钳位电路,满足对稳定性和精度要求较高的实验需求。
1N5811, 1N5812, SB140, SB150