类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：40A
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值28mΩ（典型值23mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：160W
　　输入电容（Ciss）：约1700pF
　　反向恢复时间（trr）：约150ns

RM40N100LD具有多项先进的技术特性，使其在高功率和高频应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，额定漏极电流可达40A，适用于大功率应用场景。其高耐压特性（VDS=100V）允许在较高的电压条件下安全运行，同时±20V的栅极耐压增强了器件在复杂驱动环境下的稳定性。
　　RM40N100LD的动态特性也非常出色，具有较低的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，提高开关速度。同时，反向恢复时间（trr）较短，进一步减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频变换器和逆变器的设计。该器件的封装形式为TO-247，具有良好的热导性能，便于与散热器配合使用，满足高功率密度的需求。
　　此外，RM40N100LD具有良好的热稳定性和可靠性，在宽温度范围内（-55°C至175°C）均可稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。

RM40N100LD广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在高功率密度和高效率要求的场合。例如，它常用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统中的开关元件。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、电动汽车充电设备和智能电网相关应用，满足对高效率、高可靠性和高性能的严格要求。

STP40NF10, IRF150, FDP40N10