时间：2025/4/27 9:22:24
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PVI5080N是一款高性能的NMOS功率场效应晶体管（Power MOSFET），适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合于需要高效能和小体积的设计场景。用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动以及负载开关等应用中。其出色的电气特性和可靠性使得它成为许多设计工程师的理想选择。
型号：PVI5080N
类型：NMOS
Vds（漏源极电压）：80V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：5.5mΩ
Id（连续漏极电流）：72A
Qg（栅极电荷）：41nC
EAS（雪崩能量）：95mJ
f（工作频率范围）：高达1MHz
封装形式：TO-220FP
PVI5080N具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，适合高频操作环境。
4. 优异的热稳定性，确保在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 内置保护功能，如过流保护和热关断，提高了产品的可靠性和安全性。
6. 小型化设计，有助于降低整体解决方案的尺寸和重量。
7. 符合RoHS标准，环保且兼容多种表面贴装工艺。
PVI5080N广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路，提供高效的功率传输。
3. 各种工业设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统，例如电动车窗、座椅调节和冷却风扇控制。
5. 通信电源和服务器电源中的功率转换模块。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场合。
PVI5080L, PVI5080H, IRF540N, FQP50N06L
