时间：2025/9/14 11:48:06
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PSMN2R0-25MLDX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件适用于高效率电源转换、负载开关和电机控制等应用领域。PSMN2R0-25MLDX 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具备良好的散热性能和高可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），适合在高功率密度设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：160A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.0mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：94W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
极性：增强型
PSMN2R0-25MLDX 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻 Rds(on)，典型值仅为 2.0mΩ，这使得在大电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 使用先进的 Trench 工艺，优化了载流子密度分布，从而在保证低 Rds(on) 的同时，实现了良好的开关性能。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在 4.5V 至 12V 之间工作，便于与多种驱动电路兼容。其封装采用 LFPAK56 技术，具有优良的热管理能力，能够在高功率密度环境中稳定运行。
PSMN2R0-25MLDX 还具备出色的抗雪崩能力，能够在短时间过压或瞬态条件下保持稳定，提高系统的可靠性。该器件的封装不含铅，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于工业级和汽车级应用。此外，其封装设计优化了寄生电感，有助于减少开关过程中的振铃和损耗，提升高频工作的稳定性。整体来看，该器件在性能、可靠性和热管理方面均表现出色，适合用于高要求的电源管理系统。
PSMN2R0-25MLDX 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在服务器电源、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电机驱动器以及汽车电子系统中，该 MOSFET 都能发挥出色的性能。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于同步整流、负载开关、热插拔电路以及高边开关等应用场景。此外，该器件的高可靠性使其在汽车电子系统如车载充电器（OBC）、电池保护电路以及车身控制模块中也得到广泛应用。LFPAK56 封装的高散热效率使其在空间受限的高功率应用中成为理想选择。
PSMN3R2-25MLDX, PSMN5R4-25YLC, PSMN1R8-25YLX, BSC010N04LS5
