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TJ30S06M3L 发布时间 时间:2025/6/4 3:19:05 查看 阅读:8

TJ30S06M3L是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关应用中提供卓越的性能表现。
  TJ30S06M3L属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性。通过优化的芯片结构和封装技术,该器件在导通状态下的损耗显著减少,同时保持了良好的开关特性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:典型值ton=18ns,toff=27ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻(3mΩ),能够有效降低导通损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流能力(30A),适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关速度,适合高频电路设计。
  4. 良好的热性能,有助于散热管理。
  5. 工作温度范围宽广(-55℃至+175℃),适应多种环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

TJ30S06M3L广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器,特别是在降压或升压拓扑中。
  3. 电机驱动电路,用于控制电机的速度和方向。
  4. 电池管理系统(BMS),用作充放电保护开关。
  5. 汽车电子系统中的负载开关或保护元件。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF3205
  STP30NF06L
  FDP037N06L

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