类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.5A
　　导通电阻(RDS(ON))：最大 0.18Ω（在 VGS=4.5V）
　　功率耗散(PD)：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

RM15TR-N(71) MOSFET 具有以下显著特性：
　　首先，其低导通电阻（RDS(ON)）特性可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池的使用寿命。
　　其次，RM15TR-N(71) 采用了 ROHM 公司先进的功率 MOSFET 制造工艺，确保在高频率开关应用中具备稳定的性能表现，适用于高频 DC-DC 转换器等应用。
　　此外，该器件的 SOT-23 小型封装不仅节省了 PCB 空间，同时也具有良好的热管理性能，能够在有限的空间内有效散热。这对于紧凑型设计和高密度电路布局非常有利。
　　ROHM 还为 RM15TR-N(71) 提供了良好的稳定性和可靠性，在各种工作条件下都能保持一致性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 2.5V 至 10V 范围内工作，适合多种驱动电路的设计需求。
　　最后，由于其 N 沟道结构和优良的开关特性，RM15TR-N(71) 在负载开关、电机控制和 LED 驱动等应用中表现出色，能够提供快速响应和低功耗操作。

RM15TR-N(71) MOSFET 主要应用于以下领域：
　　首先，在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，RM15TR-N(71) 可作为负载开关或 DC-DC 转换器中的主控器件，用于高效管理电池供电系统的电能分配。
　　其次，在工业控制系统中，该器件可用于驱动小型电机、继电器和 LED 照明模块，提供高效且稳定的开关控制。
　　此外，RM15TR-N(71) 也可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、LED 灯具和车载充电器，满足汽车应用中对小型化和高可靠性的要求。
　　该器件还适用于电源管理系统、电池保护电路以及各种低电压、中等电流的功率控制场合，是一款多功能且应用广泛的功率 MOSFET。

Si2302DS, AO3400A, FDN304P, FDMS86180