JX3N3773 是一款由国产厂商推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制及负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,能够在较高的开关频率下工作,从而提高系统效率并减小外围元件的体积。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):90A(@25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤3.7mΩ(@Vgs=10V)
最大功耗(Pd):180W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-263(D2PAK)或TO-220
JX3N3773 MOSFET具有多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其次,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于高功率密度设计场景。此外,JX3N3773采用了先进的沟槽栅技术,增强了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。
该MOSFET的封装形式通常为TO-263或TO-220,具有良好的散热性能,便于PCB布局与安装。其栅极设计兼容标准逻辑电平(5V~10V驱动即可完全导通),简化了驱动电路的设计。同时,该器件具备较强的短路和过载能力,可在一定条件下承受瞬态过载电流而不损坏。
另外,JX3N3773具有较低的输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss),有助于提升其在高频开关中的响应速度和稳定性。此外,其高dv/dt耐受能力也增强了其在复杂电磁环境下的可靠性。
JX3N3773广泛应用于各类功率电子系统中,例如:DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、电源开关控制、LED驱动电源、逆变器以及工业自动化控制系统等。
在电源管理领域,JX3N3773常用于高效能同步整流拓扑中,作为主开关或整流元件使用,其低导通电阻特性可有效降低能耗,提升转换效率。在电机控制中,该器件可用于H桥结构中的上下桥臂,实现电机的正反转及调速功能。
由于其良好的热性能和高电流承载能力,JX3N3773也常用于高功率密度的模块化电源设计,如通信设备电源、服务器电源、笔记本适配器等。此外,在新能源应用如电动车充电模块、太阳能逆变器中,该MOSFET也可作为关键的功率开关使用。
Si9435BDY-T1-GE3, AO4406A, FDS6680, IPP09CN10N15A, STP90NF30