时间：2025/8/6 3:39:57
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MDMA65P1600TG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效能的应用设计。该器件属于P沟道MOSFET，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场景。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的热管理和空间效率，适合现代电子产品对小型化和高性能的需求。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：-60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-16A @ 温度25℃
导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = 10V，Rds(on) 最大值为 16 mΩ；@ Vgs = 4.5V，Rds(on) 最大值为 22 mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：PowerFLAT 5x6
MDMA65P1600TG 的设计采用了先进的PowerMESH技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。
该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有优良的热性能，能够有效地将热量散发，确保在高负载条件下的稳定运行。
其栅极驱动电压兼容性较好，可在10V或4.5V下工作，适用于多种电源管理系统。
此外，MDMA65P1600TG 具备较高的雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过载情况下器件的可靠性。
该MOSFET还具有良好的短路保护性能，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。
MDMA65P1600TG 主要应用于需要高效功率管理的场合，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源供应器以及工业自动化设备等。
由于其优异的导通特性和热管理能力，该器件特别适合用于高密度电源设计，能够在有限的空间内实现高效的功率转换。
在电池供电设备中，MDMA65P1600TG 可用于优化电源路径管理，提高系统能效和延长电池寿命。
同时，该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统（IVI）等，满足汽车工业对高可靠性和高稳定性的要求。
IPD65R160P6S, STD65P1600V
