时间：2025/6/28 15:10:27
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FDS6688S-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，适用于需要高效能开关的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域的需求。
FDS6688S-NL 的设计使其能够在高频条件下保持较高的效率，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合用作同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关等应用中的关键元件。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SO-8
FDS6688S-NL 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
此外，该器件的快速开关速度可以降低开关损耗，非常适合高频应用。
其 SO-8 封装不仅紧凑，而且具备良好的散热性能，便于在高密度电路板上进行布局。
该 MOSFET 还具有出色的抗雪崩能力，可确保在异常条件下仍能正常运行。
FDS6688S-NL 广泛应用于多种领域，如消费类电子产品中的 DC-DC 转换器、笔记本电脑适配器和电源管理模块。
在通信设备中，它可以用作功率级开关或负载开关，以实现高效的电源分配。
工业应用方面，该器件适用于电机驱动、逆变器以及其他需要精确控制功率输出的场景。
此外，由于其低导通电阻和快速开关特性，FDS6688S-NL 也常用于同步整流和电池充电电路中。
FDS6680, FDS6688A
