时间：2025/8/9 10:32:40
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YG831C03R 是一款由国内厂商生产的电子元器件，主要用于电源管理和功率控制领域。该型号属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具备较高的导电能力和较低的导通电阻特性，适用于需要高效能和稳定性的电路设计。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
YG831C03R的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。它还具有高电流承载能力，能够支持大功率应用。此外，该MOSFET的封装设计优化了热性能，使其在高负载下仍能保持良好的散热效果。这些特性共同作用，使YG831C03R适用于各种电源管理场景。
该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式MOS技术，提高了器件的可靠性和稳定性。此外，其高耐压能力也使其能够在高压环境中稳定工作，减少了因电压波动而导致的故障风险。
在实际应用中，YG831C03R的快速开关特性使其适用于高频开关电路，有助于提高系统响应速度和效率。同时，该器件的低栅极电荷（Qg）特性也降低了开关损耗，进一步提升了整体性能。
YG831C03R广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统（BMS）等场景。由于其高电流和低导通电阻特性，该器件也常用于电动车、储能系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。
在电源管理方面，YG831C03R可以作为主开关元件用于电源转换电路，如Buck和Boost转换器，以提高转换效率并减少发热。在电机控制中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现对电机方向和速度的精确控制。
由于其优异的导热性能和高电流承载能力，YG831C03R也常用于需要高可靠性的汽车电子系统中，如车载充电器和电动助力转向系统（EPS）。此外，在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，以确保电池组的安全运行。
Si9410BDY-T1-GE3
NDS355AN
FDP6680
