容量：8GB
　　工艺制程：52nm
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　存储温度范围：-40°C至+85°C
　　数据保持时间：10年（典型）
　　编程/擦除周期：100,000次（典型）

HY27UH08CGFM-TPIB 是一款SLC NAND闪存芯片，具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于对数据完整性要求较高的应用场景。其单层单元结构使得每个存储单元只存储1位数据，从而降低了误码率并提高了读写稳定性。该芯片采用ONFI 1.0兼容接口，便于与主控芯片进行连接和通信。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适应多种电源供应环境，增强了设计的灵活性。
　　该NAND闪存芯片具备良好的耐久性，支持高达100,000次编程/擦除周期，确保在高负载环境下依然稳定运行。数据保持能力可达10年以上，适合长期存储关键数据。此外，该芯片支持快速读取和写入操作，读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，满足大多数嵌入式系统和工业应用的性能需求。
　　HY27UH08CGFM-TPIB 还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，适用于工业级环境。TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力，增强了系统的稳定性。这些特性使得该芯片成为工业控制、车载系统、医疗设备、通信设备等高可靠性要求应用的理想选择。

HY27UH08CGFM-TPIB 广泛应用于需要高可靠性和长寿命的嵌入式存储系统中。常见的应用包括工业控制设备、固态硬盘（SSD）控制器、车载导航系统、医疗设备、通信设备、智能电表以及网络存储设备等。由于其SLC NAND结构带来的高稳定性和耐用性，特别适合用于需要频繁写入和读取数据的关键任务系统。

HY27UF084G2M-TPIT
　　K9F5608U0D-SIB0
　　S34ML08G100BHI000