RLZTE-116.2B 时间：2025/12/25 11:35:54 阅读：28

RLZTE-116.2B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于RLZTE系列。该系列二极管采用小型SOD-523封装，具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点，广泛应用于便携式电子设备中的电压基准、过压保护和稳压电路中。RLZTE-116.2B的标称齐纳电压为16.2V，适用于需要精确电压箝位或参考电压的场合。该器件在设计上优化了动态阻抗和温度系数，能够在较宽的温度范围和工作电流范围内保持稳定的电压输出。此外，其低漏电流特性使其在低功耗应用中表现出色。RLZTE-116.2B符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适合现代电子产品对环保和可靠性的需求。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-523
　　标称齐纳电压：16.2V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作电流范围：1mA ~ 50mA
　　动态阻抗（@ 5mA）：≤35Ω
　　温度系数：+2.0 mV/°C（典型值）
　　反向漏电流（@ 12V）：<1μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

RLZTE-116.2B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，是高精度稳压应用的理想选择。其±2%的电压容差确保了在批量生产中的一致性，减少了外围校准电路的需求。该器件在额定工作电流范围内能维持较低的动态阻抗，这意味着即使负载电流发生波动，输出电压也能保持相对恒定，从而提高系统的整体稳定性。该齐纳二极管的温度系数经过优化，在高温环境下仍能保持良好的电压精度，避免因温度变化引起的性能漂移。
　　采用SOD-523超小型表面贴装封装，RLZTE-116.2B非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等。该封装不仅节省PCB布局空间，还具备良好的热传导性能，有助于将工作时产生的热量有效散发。此外，其低漏电流特性在待机或低功耗模式下显著降低系统能耗，延长电池使用寿命。
　　该器件具有优异的瞬态响应能力，能够快速响应输入电压的突变，提供有效的过压保护功能。在电源管理单元中，它可以作为参考源驱动误差放大器，提升DC-DC转换器或LDO的输出精度。同时，RLZTE-116.2B通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏试验（HTRB）和温度循环试验，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。