21281EB 时间：2025/10/29 19:22:22 阅读：22

21281EB是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8单封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于多种开关电源拓扑结构。21281EB以其卓越的电气特性，在DC-DC转换器、同步整流、电机控制以及负载开关等应用中表现出色。其设计优化了栅极电荷与导通损耗之间的平衡，使得在高频工作条件下仍能保持较高的系统效率。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，并符合RoHS环保标准，无卤素且绿色环保。由于采用了TrenchFET工艺，21281EB能够在较小的封装尺寸内实现比传统平面MOSFET更高的电流处理能力和更低的能量损耗，是现代便携式电子产品和高功率密度电源系统中的理想选择之一。

参数

型号：21281EB
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：22 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：4.7 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：6.4 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 2.5 V：9.5 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@ 10 V：14 nC
　　输入电容（Ciss）：910 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14 ns
　　反向恢复时间（trr）：16 ns
　　最大功耗（Ptot）：2.5 W
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　阈值电压（Vth）：1.2 V ~ 2.0 V

特性

21281EB的核心优势在于其基于Vishay专有的TrenchFET技术构建，这种垂直沟槽结构显著提升了单位面积下的载流能力，同时大幅降低了导通电阻RDS(on)，从而减少传导损耗并提高整体能效。
　　该器件在VGS = 10 V时的典型RDS(on)仅为4.7 mΩ，在同类30 V N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适合用于大电流输出的同步降压转换器中作为下管或上管使用。其低栅极电荷（Qg = 14 nC）特性有效减少了驱动电路所需的功耗，使开关损耗进一步降低，支持更高频率的操作，有助于缩小外部滤波元件的尺寸，提升电源系统的功率密度。
　　此外，21281EB具备出色的热传导性能，得益于PowerPAK SO-8封装内部无引线键合（Leadless）的设计，热量可通过底部散热焊盘高效传递至PCB，实现优异的热管理效果。这使得即使在高负载持续运行状态下，器件也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并增强系统可靠性。
　　该MOSFET还具有较低的米勒电容（Crss），有助于抑制寄生导通现象，提升在硬开关应用中的稳定性。其快速的开关响应时间（开启延迟8 ns，关断延迟14 ns）确保了精确的开关控制，适用于多相VRM、POL（Point-of-Load）转换器及电池供电设备中的电源管理模块。
　　值得一提的是，21281EB在低栅压驱动方面表现良好，在VGS = 2.5 V时仍能实现9.5 mΩ的低导通电阻，兼容现代低压逻辑控制器（如DSP、MCU等）直接驱动，无需额外电平转换或专用驱动芯片，简化了电路设计并降低成本。综合来看，该器件集高性能、小型化与易用性于一体，广泛适用于对空间和效率有严格要求的应用场景。

应用

21281EB广泛应用于各类高性能电源管理系统中，典型用途包括同步整流型DC-DC降压转换器、负载开关、电机驱动电路、热插拔控制器、笔记本电脑和移动设备的电源模块、服务器POL转换器、LED驱动电源以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路。其优异的导通特性和快速开关能力也使其成为USB PD快充适配器、无线充电板及工业自动化控制板卡中的关键元件。