时间：2025/6/21 3:05:12
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GMC04CG820F25NT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，能够提供快速的开关速度以及优异的热性能，适合在高频条件下运行。其封装形式为TO-220，方便散热并易于安装到电路板上。
最大漏源电压：40V
持续漏极电流：82A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关时间：开启延迟时间35ns，上升时间15ns，关断传播时间50ns，下降时间25ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器。
3. 高电流处理能力让GMC04CG820F25NT能够在大功率场合下稳定运行。
4. 内置ESD保护功能增强了产品的可靠性和抗干扰性能。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 新能源汽车中的电池管理系统和逆变器电路。
5. 各类大电流电路中的功率开关元件。
GMC04CG820F25NTR, IRFZ44N, FDP880
