时间：2025/8/6 8:04:32
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IXFH46N30T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率开关应用设计，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等场景。该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：300V
最大漏极电流(Id)：46A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大65mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXFH46N30T具有优异的导通和开关性能，其低Rds(on)特性可以有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，确保了在高电流和高电压条件下的稳定运行。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的热稳定性，适合用于高可靠性要求的工业和汽车应用。该TO-247封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，从而提升整体热管理能力。IXFH46N30T还具备快速恢复二极管特性，使得其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。
此外，该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路（如微控制器和驱动IC）配合使用。其坚固的封装设计和内部结构优化使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行，适用于电力电子设备、不间断电源（UPS）、电动车辆动力系统以及太阳能逆变器等高要求应用。
IXFH46N30T广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车动力系统）等。该器件的高性能和高可靠性使其成为众多功率电子设计的理想选择。
IXFH46N30P, IXFH40N30T, IXFN46N30T
