IXKN75N60C 时间：2025/8/6 13:00:06 阅读：17

IXKN75N60C 是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件设计用于高效开关操作，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等应用。IXKN75N60C采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合需要高可靠性和高性能的电力电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　漏极功耗（Pd）：300W
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V至6V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值0.075Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXKN75N60C的主要特性之一是其高电压和高电流能力，这使其成为适用于多种高功率应用的理想选择。它具有较低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　这款器件的TO-247封装提供了优良的热管理和机械稳定性，便于在各种电路板上安装和散热。此外，IXKN75N60C的快速开关特性使其适用于高频开关电源和逆变器应用，有助于减小系统的体积和重量。
　　其栅极驱动要求相对较低，可以在标准的10V至15V栅极驱动电压下工作，简化了驱动电路的设计。此外，该器件具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适合在工业环境和恶劣条件下运行。

应用

IXKN75N60C广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化设备和太阳能逆变器等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的能量转换和可靠的开关性能，确保系统运行的稳定性和效率。
　　在开关电源中，IXKN75N60C用于高频DC-DC转换器和AC-DC转换器，以实现高效率的电源转换。在电机驱动应用中，该器件用于H桥电路，提供高效的电机控制和再生制动功能。在太阳能逆变器中，IXKN75N60C作为核心开关元件，将太阳能电池板的直流电转换为交流电，供给电网或负载使用。
　　此外，该MOSFET还可用于电池充电器、焊接设备和感应加热系统等高功率应用场合，提供稳定可靠的开关性能。