封装尺寸：1206 (3.2mm x 1.6mm)
　　标称电容：47pF
　　电容容差：±5%
　　额定电压：200V DC
　　介质材料：X7R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：±15% 过温度范围
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接形式：镍障层/锡覆盖（Ni/Sn）
　　RoHS合规性：是

1206N470J202所采用的X7R型陶瓷介质赋予其出色的温度稳定性，能够在极端环境条件下维持稳定的电容性能。在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使其适用于对参数漂移敏感的应用场合，例如定时电路、振荡器补偿网络以及模拟滤波器设计。相比Z5U或Y5V等高介电常数但温度特性较差的介质，X7R提供了更可预测的电气行为，尤其在温度波动较大的工业环境中表现优越。
　　该电容器具备200V的额定直流工作电压，意味着它可以在长期运行中安全承受高达200V的持续电压，同时具有一定的瞬态过压承受能力。这一特性使其适合用于中高压电源轨的去耦、跨接在开关节点处进行噪声抑制，或作为高频信号路径中的耦合电容。结合47pF的低容值，该器件在射频（RF）电路中也能发挥良好作用，例如在匹配网络或谐振回路中提供精确且稳定的电抗。
　　结构上，1206N470J202采用多层堆叠技术，将交替排列的内电极与陶瓷层烧结成一体，从而在有限体积内实现较高的单位体积电容量（即高“CV”乘积）。这种构造不仅增强了机械强度，还降低了等效串联电感（ESL），有助于提升高频性能。配合SMD表面贴装设计，能够有效减少引线寄生效应，进一步优化高频响应。
　　此外，该器件使用镍阻挡层与锡覆盖的端电极结构，既防止了银离子迁移问题，又确保了良好的焊接可靠性和长期存储稳定性。整体设计满足无铅回流焊工艺要求，兼容现代绿色制造流程，并通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置（H3TRB）、温度循环和耐久性试验，保障在严苛应用场景下的使用寿命。

1206N470J202因其兼具中高压耐受能力、稳定电容特性和适中容量，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，它常用于DC-DC转换器输出端的高频去耦，有效滤除开关噪声并稳定输出电压；也可布置于IC电源引脚附近，作为局部储能元件，降低因瞬态电流变化引起的电压波动。其200V耐压能力使其适用于输入电压较高的工业电源模块，避免在电压尖峰下发生击穿失效。
　　在通信与射频系统中，该电容器可用于阻抗匹配网络、带通滤波器或LC谐振电路中，利用其精确的47pF容值和低损耗特性实现信号频率的选择性传输。由于X7R介质在宽频范围内保持相对稳定的介电性能，因此能保证电路在整个工作温度区间内的频率响应一致性，这对于无线收发器、天线调谐单元和传感器接口电路尤为重要。
　　在工业自动化与控制系统中，该器件可用于PLC模块、数据采集前端和隔离电源的滤波部分，提供可靠的信号完整性保障。其宽温工作能力和抗环境应力特性，使其可在恶劣工况下长期稳定运行。此外，在汽车电子领域，虽然并非专为AEC-Q200认证设计的所有版本都适用，但某些工业级变体仍可用于非关键辅助电路，如车身控制模块、车载信息娱乐系统的电源去耦环节。
　　消费类电子产品如智能家电、路由器、机顶盒等也大量采用此类MLCC，用于主板上的去耦、时钟线路滤波和EMI抑制。其标准化封装便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。总体而言，1206N470J202是一款通用性强、适应面广的高性能陶瓷电容器，适用于需兼顾耐压、精度与稳定性的中高端电子设计。

C1206C470J2GACTU
　　GRM319R71E470KA01D
　　CL10B470JB8NNNC