时间：2025/8/30 23:16:29
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RLSD92Q151C 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具备低导通电阻和良好的热性能。RLSD92Q151C 采用紧凑型封装设计，适用于需要高功率密度和小型化的应用场合。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，使其适用于多种控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V 至 2.5V
最大功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerSSO-24
RLSD92Q151C 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 1.5mΩ，显著降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了整体效率。这在 DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统中尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。其最大漏源电压为 30V，适用于多种低压功率转换应用。RLSD92Q151C 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V，使得它可以与多种类型的驱动电路兼容，包括低压微控制器和高压电源管理 IC。
RLSD92Q151C 主要应用于需要高效率、高电流和低导通电阻的功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。该器件也广泛用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统。此外，它还适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和服务器电源等对效率和可靠性有较高要求的场合。
SiR862DP-T1-GE3, IRF6723PBF, FDS4410A
