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LESD8DV5.0T5G 发布时间 时间:2025/8/13 13:34:50 查看 阅读:6

LESD8DV5.0T5G 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的双路双向电压抑制二极管(TVS),专门用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件采用微型DFN封装,适用于需要高可靠性保护的便携式设备和通信接口,如USB、HDMI、智能手机和可穿戴设备等。

参数

类型:双路双向TVS
  工作电压:5.0V
  峰值脉冲电流(Ipp):2.8A(每通道)
  反向关态电压(VRWM):5.0V
  钳位电压(Vc):9.2V @ Ipp
  ESD耐受能力:±30kV(接触放电)
  响应时间:小于1ns
  封装形式:DFN10
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

LESD8DV5.0T5G 具备出色的电压抑制能力和快速响应时间,能够在极短的时间内将瞬态电压钳制在安全范围内,从而保护后端电路不受损坏。该器件的双路双向设计使其能够同时保护两个信号线路,适用于差分信号或双线接口应用。其低钳位电压确保在发生ESD事件时,被保护器件不会承受过高的电压应力。此外,该TVS采用紧凑型DFN封装,占用PCB空间小,非常适合空间受限的便携式电子产品设计。LESD8DV5.0T5G 还具有低漏电流特性,在正常工作状态下对系统功耗影响极小,且无需外部电源供电即可工作。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,适用于高要求的工业和消费类应用场景。
  LESD8DV5.0T5G 的另一个显著特点是其高集成度,能够在单一封装中实现两个独立通道的保护,减少外围元件数量,提高系统可靠性和设计灵活性。此外,该器件在高频信号路径中引入的电容较低,不会显著影响信号完整性,适用于高速数据传输接口的保护。由于其优异的电气性能和小型化设计,LESD8DV5.0T5G 被广泛用于现代电子设备中对ESD保护要求较高的场合。

应用

LESD8DV5.0T5G 主要用于各种电子设备中的信号线保护,尤其适用于高速接口如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、音频线路、传感器接口等。它也可广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、工业控制系统、通信模块以及汽车电子中的电子控制单元(ECU)等对ESD敏感的电路中。由于其低电容和双向保护特性,该器件特别适合用于保护高速数据线路,以确保信号完整性和系统稳定性。此外,LESD8DV5.0T5G 也可用于物联网(IoT)设备、智能家居产品以及便携式医疗设备中,提供可靠的电压瞬变保护。

替代型号

SP3014-05VTG, ESDA8V5L1AP

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