时间：2025/12/28 18:53:59
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RLSD52A051C 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及各种功率控制电路中。RLSD52A051C 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4.1A（在25°C）
功耗(Pd)：200mW
导通电阻(Rds(on))：最大51mΩ（在4.5V Vgs）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSMT6（双排扁平无引脚封装）
安装方式：表面贴装
RLSD52A051C 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件在 4.5V 的栅极驱动电压下即可实现导通，适用于低电压驱动电路，例如由微控制器或数字逻辑电路控制的应用。此外，RLSD52A051C 采用了高密度沟槽式 MOSFET 结构，使得在相同芯片面积下实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
该器件还具备良好的热稳定性，其封装设计优化了热阻，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提高可靠性和延长使用寿命。RLSD52A051C 在封装上采用的是无铅和符合 RoHS 标准的材料，符合现代电子产品对环保的要求。
此外，RLSD52A051C 具有快速开关特性，能够在高频条件下稳定工作，减少开关损耗。这对于 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制等高频应用至关重要。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。
RLSD52A051C 常用于各类功率管理电路中，例如电池供电设备、便携式电子设备、电源适配器、DC-DC 转换器和 LED 照明驱动器。由于其高效率和小型化设计，该 MOSFET 特别适合空间受限的应用场合，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。
在工业控制领域，RLSD52A051C 可用于负载开关、继电器替代电路、电机控制和传感器供电管理。在汽车电子领域，该器件也可用于车载电源管理系统、LED 灯具控制和车载充电器等应用。由于其良好的热性能和可靠性，RLSD52A051C 也适用于高温环境下的工业和汽车应用。
Si2302DS, FDN304P, AO3400A, BSS138
