时间：2025/7/23 2:20:03
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STP6NK70Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高电流应用。该器件采用先进的平面条形技术，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统等场合。STP6NK70Z 采用TO-220封装形式，便于散热，适合大功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：700V
连续漏极电流(Id)：6A
漏极峰值电流(Idm)：24A
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：最大值1.7Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
STP6NK70Z 具有出色的电气性能和高可靠性，采用了先进的平面条形技术，能够有效降低导通损耗并提高开关效率。其低导通电阻确保了在高电流工作状态下仍能保持较低的功耗，从而提升系统的整体能效。此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，使其在高电压和瞬态负载条件下仍能稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V至10V的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。STP6NK70Z 还具备较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。其封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低结温，提高长期运行的可靠性。
STP6NK70Z 广泛应用于多种功率电子系统中，如AC-DC开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也适用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）和电动汽车充电设备中的功率控制模块。
STP8NK70Z, STP6NK70ZFP, STP5NK70Z
