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K4M281633H-RN75 发布时间 时间:2025/11/11 14:19:03 查看 阅读:18

K4M281633H-RN75是一款由三星(Samsung)公司生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于高速、低功耗的SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory)产品系列。该芯片广泛应用于需要中等容量内存且对成本和功耗有较高要求的嵌入式系统和消费类电子产品中。K4M281633H-RN75采用标准的TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具备良好的电气性能与散热特性,适合在紧凑型电路板上使用。
  这款存储器芯片的组织结构为16兆位(Megabits),即每个芯片包含16,777,216个存储单元,其内部架构为1M x 16的配置,意味着它具有1百万个地址行,每行可访问16位数据宽度。这种并行接口设计使得处理器可以在单个时钟周期内读取或写入16位数据,从而提升系统整体的数据吞吐能力。K4M281633H-RN75工作电压为3.3V,符合LVTTL(Low Voltage Transistor-Transistor Logic)电平标准,确保了与其他数字逻辑器件的良好兼容性。
  该器件支持同步操作模式,所有输入输出信号均与时钟信号同步,有效提高了系统的稳定性与抗干扰能力。此外,它还具备自动刷新和自刷新功能,能够在不丢失数据的前提下降低功耗,特别适用于便携式设备或需要长时间运行的应用场景。K4M281633H-RN75的工作温度范围通常为商业级(0°C 至 +70°C),满足大多数常规工业和民用环境下的使用需求。

参数

型号:K4M281633H-RN75
  制造商:Samsung
  类型:SDRAM
  容量:16 Mbit
  组织结构:1M x 16
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  数据总线宽度:16位
  封装形式:TSOP-I 54引脚
  时钟频率:最高75MHz
  存取时间:7.5ns
  工作温度:0°C 至 +70°C
  接口电平:LVTTL
  刷新模式:自动刷新 / 自刷新

特性

K4M281633H-RN75具备多项关键特性,使其成为许多中低端嵌入式系统中的理想选择。首先,该芯片采用了同步动态随机存取存储器技术,所有操作均基于外部时钟信号进行同步控制。这种设计显著提升了数据传输的精确性和系统的整体响应速度。由于指令、地址和数据的传输都发生在时钟上升沿,因此可以实现高效的流水线操作,减少等待周期,提高CPU与内存之间的通信效率。同时,同步架构也简化了系统时序设计,降低了主板布线复杂度,有助于提升产品可靠性。
  其次,该芯片支持多种低功耗管理模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self-refresh)。在正常运行期间,内存控制器会定期发出自动刷新命令以维持数据完整性;而在系统进入待机或休眠状态时,可通过启用自刷新模式让芯片自身管理刷新过程,从而大幅降低功耗。这对于电池供电设备尤为重要,例如手持终端、便携式医疗仪器或智能仪表等应用场景,能够有效延长续航时间。
  再者,K4M281633H-RN75采用16位宽的数据总线设计,提供较高的数据带宽,适用于需要频繁交换大量数据的系统。其最大时钟频率可达75MHz,对应于7.5ns的存取周期,能够满足多数实时处理任务的需求。此外,该器件兼容标准的SDRAM控制器接口,无需额外的驱动电路即可直接连接到主流微处理器或FPGA平台上,具有良好的通用性和可替换性。
  最后,该芯片使用TSOP-I 54引脚封装,体积小巧且便于表面贴装,适合高密度PCB布局。其引脚定义遵循行业通用规范,有利于缩短产品开发周期和降低生产成本。综合来看,K4M281633H-RN75在性能、功耗、尺寸和成本之间实现了良好平衡,是许多传统工业控制系统、网络设备和消费电子产品的可靠内存解决方案。

应用

K4M281633H-RN75因其稳定的性能和适中的容量,被广泛应用于多个领域的电子设备中。在工业控制领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和数据采集系统中,作为临时数据缓存或程序运行内存,支持设备的高效稳定运行。在网络通信设备方面,如路由器、交换机和调制解调器中,该芯片可用于存储转发数据包的缓冲区,提升网络传输效率。
  在消费类电子产品中,K4M281633H-RN75常见于老式液晶电视、机顶盒、DVD播放器以及数码相框等设备中,用于图像帧缓冲和应用程序运行空间。由于其3.3V工作电压与多数嵌入式处理器兼容,因此也广泛用于基于ARM7、ColdFire或类似架构的嵌入式主板上。
  此外,在医疗仪器、测试测量设备和POS终端等专业设备中,该芯片也被用作系统主存或协处理器的辅助内存。特别是在一些对成本敏感但又需要一定数据处理能力的应用中,K4M281633H-RN75提供了性价比极高的解决方案。尽管随着技术发展,更高密度和更低功耗的DDR内存已逐渐普及,但在维护现有设备或生产成熟型号产品时,K4M281633H-RN75仍然具有重要的市场价值和应用前景。

替代型号

K4M281633F-RN75
  IS42S16100D-7BLI
  MT48LC16M16A2P-75:G
  CY7C1365KV18

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