RJ24N3 时间：2025/8/28 6:46:09 阅读：7

RJ24N3 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）公司推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电压、高电流的应用场合，适用于功率转换、开关电源、电机控制、负载开关等电子系统。RJ24N3具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，使其在高效率和高可靠性要求的电力电子设计中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　漏源击穿电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值4.2mΩ（典型值3.2mΩ）
　　功率耗散（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

RJ24N3的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。该MOSFET的60V漏源电压额定值使其适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、同步整流、电机驱动和电池管理系统。此外，RJ24N3采用了高热导率的封装材料，确保在高负载条件下依然能够维持稳定的性能。
　　该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。RJ24N3还具有良好的短路耐受能力和抗过热能力，进一步提升了器件的可靠性。在栅极驱动方面，其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频工作场景。
　　由于其优异的电气特性和热性能，RJ24N3被广泛用于工业控制、汽车电子、通信电源、服务器电源和新能源设备中。

应用

RJ24N3主要应用于需要高效、高可靠性的功率管理场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、光伏逆变器、工业自动化设备和汽车电子系统等。此外，由于其优异的热管理和导通性能，该MOSFET也常用于高效率的功率模块设计。