类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：15A
　　最大漏-源电压：65V
　　最大栅-源电压：±20V
　　输出功率：150W（典型值）
　　频率范围：1.8MHz～60MHz
　　增益：18dB（典型值）
　　漏极效率：70%（典型值）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-65°C～+150°C

RF1501NP3S T/R 具有出色的射频性能和稳定性，适用于广泛的射频应用领域。其高输出功率和高增益使其成为高性能射频放大器的理想选择。
　　该器件采用先进的硅工艺制造，具有优异的热管理和可靠性，能够在高功率密度环境下稳定工作。
　　其宽频率范围（1.8MHz～60MHz）使其适用于多种通信标准和系统，包括HF、VHF和部分UHF频段。
　　此外，该MOSFET具有较低的输入驻波比（VSWR）和出色的互调失真性能，有助于提高系统的整体信号质量和效率。
　　内置的静电放电（ESD）保护电路增强了器件在制造和使用过程中的可靠性，减少了因静电而损坏的风险。
　　由于其高效率和紧凑的封装设计，该器件能够有效减少整体系统尺寸和散热需求，适合高密度射频电路设计。

RF1501NP3S T/R 主要用于各种射频功率放大器的设计，适用于无线通信基站、广播发射设备、雷达系统、测试仪器以及工业和医疗射频设备。
　　它也常用于业余无线电设备（如HF和VHF频段的收发器）中的最终功率放大级。
　　在广播系统中，该器件可用于FM和AM广播发射机的末级放大，提供高保真和高稳定性的信号输出。
　　在军事和航空航天领域，该器件被用于雷达发射模块和通信中继设备，支持高可靠性应用需求。
　　此外，该器件也可用于射频加热系统、等离子体发生器等工业应用中，提供稳定高效的射频能量输出。

RF1501NP3S T/R 的替代型号包括 IXYS 的 IXYS RF1501 和 STMicroelectronics 的 STD150N65M5。