类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：NPN
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Encapsulated）
　　工作频率范围：250 MHz - 1000 MHz
　　最大集电极电流（Ic）：15 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大基极电流（Ib）：1 A
　　最大功耗（Ptot）：250 W
　　增益（hFE）：≥12（典型值）
　　热阻（Rth）：0.55°C/W
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　输出功率（典型值）：在900MHz下约为150W

RJ2365CA1PB 的主要特性之一是其宽频率覆盖能力，适用于从VHF到UHF频段的应用。该器件在高频下仍能保持较高的功率增益，确保系统设计的灵活性。其陶瓷金属封装结构不仅具有良好的机械稳定性，还能有效散热，提高器件的长期可靠性。
　　此外，RJ2365CA1PB 具备良好的热阻特性（Rth = 0.55°C/W），在高功率运行时仍能维持较低的工作温度，从而减少热失效的风险。其高击穿电压特性（Vce=30V）也使得该器件在复杂电磁环境下具备更强的抗干扰能力。
　　在电气性能方面，该晶体管的增益（hFE）通常大于12，在高频下依然保持较高的线性度，有助于减少信号失真。同时，其最大集电极电流（15A）和基极电流（1A）允许在高动态范围下稳定工作，适用于需要快速响应和高线性放大的应用场景。

RJ2365CA1PB 被广泛应用于多种射频功率放大系统中，例如调频广播发射机、无线通信基站、工业加热设备以及测试测量仪器等。在广播设备中，该晶体管可用于中功率放大级，提供高稳定性和高保真度的信号放大。在通信系统中，RJ2365CA1PB 可用于多载波放大器或数字无线传输系统，满足高效率和低失真的需求。
　　此外，由于其出色的热稳定性和封装结构，该器件也适用于需要长时间连续工作的工业设备，如射频等离子体发生器、感应加热设备等。在测试设备中，它常用于构建高功率信号源或放大器模块，提供可靠的输出性能。

2SC2879, 2SC1971, BLF278, MJ15003