时间：2025/12/23 16:51:04
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NLSX4401MU1TCG 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。该器件采用先进的制程技术制造，具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 UFQFN8 (3x3)，具备小尺寸和高散热效率的特点，非常适合对空间有严格要求的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻（典型值）：7mΩ
总栅极电荷：13nC
反向恢复时间：-
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NLSX4401MU1TCG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高度集成的小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
6. 内置保护功能（如过流保护等），增强了器件的可靠性和安全性。
NLSX4401MU1TCG 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器，提供高效功率转换。
3. 消费类电子设备中的负载开关和电池管理。
4. 工业控制与自动化设备中的电机驱动电路。
5. 其他需要高性能 MOSFET 的场合，例如 LED 驱动和通信基础设施。
NLFM4401T1G, NLSX4402MU1TCG
