RHTVSMF02411N-S 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载切换和其它瞬态电压的影响而设计。该器件具有低电容特性,非常适合用于高速数据线路和射频应用。其出色的钳位性能和高浪涌能力使其成为通信接口、I/O端口以及各种消费类电子产品的理想选择。
该型号属于RHTVSMF系列,采用SOT-323小型封装,有助于节省电路板空间,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大反向工作电压:6V
击穿电压:7.5V
最大箝位电压:13.8V
峰值脉冲电流:39A
反向泄漏电流:1μA
结电容:6pF
响应时间:1ps
封装形式:SOT-323
RHTVSMF02411N-S 提供卓越的过压保护功能,同时保持较低的插入损耗和信号失真。其快速响应时间和低电容特性确保了对高速信号的有效保护,不会显著影响数据传输速率或信号完整性。
主要特点包括:
- 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压
- 低结电容,适合高频应用
- 高浪涌能力,确保在恶劣环境下可靠运行
- 小型封装设计,便于集成到紧凑型电路中
- 符合RoHS标准,环保无铅材料
此外,该器件还具有优异的重复使用性能,在多次承受浪涌电流后仍能保持稳定的电气特性。
RHTVSMF02411N-S 广泛应用于需要保护的高速数据线和射频信号路径,典型应用场景包括:
- USB 接口保护
- HDMI 和 DisplayPort 等视频接口
- 以太网 PHY 和其他通信端口
- 移动设备中的天线保护
- 消费类电子产品中的音频/视频输入输出端口
- 工业控制系统的信号线路保护
由于其低电容和高箝位性能,这款 TVS 二极管特别适合用于防止 ESD 和雷击等瞬态事件导致的损坏。
RHTVSMF02411N-T, SMAJ6.0A, PESD6V0X1BA