STP18NM60N 时间：2025/7/23 7:50:15 阅读：8

STP18NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET具有高耐压和大电流承载能力，适用于各种需要高效功率转换和管理的场合。STP18NM60N采用先进的高压MOSFET技术，确保了在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：18A（在Tc=25℃）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220
　　技术：MOSFET

特性

STP18NM60N具有多种显著的特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，它的高耐压能力（600V）使其能够应用于高电压环境，如电源转换器和电机控制电路。其次，18A的漏极电流能力使其能够处理较大的负载电流，适用于需要高电流驱动的应用。
　　该MOSFET的导通电阻较低，最大值为0.22Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。此外，STP18NM60N的封装形式为TO-220，这种封装方式具有良好的散热性能，确保了在高功率操作下的可靠性。
　　该器件还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。STP18NM60N的栅极-源极电压范围为±20V，提供了较宽的驱动电压范围，适用于多种驱动电路设计。

应用

STP18NM60N广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。在电源转换器中，它可以作为主开关元件，实现高效的DC-AC或DC-DC转换。在电机控制电路中，STP18NM60N可以用来驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流输出。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明系统的驱动电路，提供高效的电流控制。在工业自动化系统中，STP18NM60N可以作为功率开关，控制各种执行机构的动作。由于其高可靠性和高效率，STP18NM60N也常用于家电产品中的功率控制模块，如洗衣机、空调和电冰箱等。