RHLTVSDC0322D3是一款由罗姆(ROHM)生产的超低电容瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Diode Array),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过电压事件的损害。该器件采用DFN1610-8L封装,具有小型化和高可靠性的特点,非常适合用于高速数据线和高频信号线路的保护。
这款芯片广泛应用于USB、HDMI、以太网等接口的保护场景,能够有效确保敏感电子设备在严苛环境下的稳定运行。
工作电压:4.5V
击穿电压:7V
最大箝位电压:15V
峰值脉冲电流:39A
结电容:0.35pF
响应时间:≤1ps
封装形式:DFN1610-8L
工作温度范围:-55℃至+150℃
RHLTVSDC0322D3具备以下显著特性:
1. 超低结电容(仅0.35pF),使其非常适合高速数据线保护应用。
2. 快速响应时间(≤1ps),可迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高浪涌承受能力,峰值脉冲电流可达39A,保证了器件在极端条件下的可靠性。
4. 小型化设计,DFN1610-8L封装节省PCB空间,满足现代电子设备对小型化的要求。
5. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),适用于各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
RHLTVSDC0322D3的主要应用领域包括:
1. USB 2.0/3.0接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口的ESD防护。
3. 以太网端口保护。
4. 移动设备(如智能手机、平板电脑)中的天线和数据线保护。
5. 工业控制设备的数据通信接口保护。
6. 汽车电子系统中CAN/LIN总线的ESD防护。
PESD8V0X1BL, SM712, SMAJ4.3A