RH5RI305B-T1 时间：2025/4/28 16:30:06 阅读：2

RH5RI305B-T1是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于Rohm公司推出的低导通电阻MOSFET系列。该器件采用了先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高效率电源管理应用。RH5RI305B-T1通常用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景，其卓越的热性能和可靠性使其成为众多设计工程师的理想选择。
　　该型号的后缀“-T1”表示采用的是TO-263封装形式，也称为DPAK封装，适合表面贴装技术（SMT）应用。这种封装方式提供了良好的散热性能和电气连接稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压Vds：30V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：78A
　　导通电阻Rds(on)：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗Ptot：114W
　　结温范围Tj：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263 (DPAK)

特性

RH5RI305B-T1的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少功率损耗。
　　2. 高雪崩能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，有助于提高整体系统效率。
　　4. 良好的热稳定性和可靠性，能够适应极端环境温度。
　　5. 符合RoHS标准，确保环保合规。
　　6. 表面贴装封装（TO-263），简化了PCB设计并提高了生产效率。
　　这些特性使RH5RI305B-T1成为高效能、高可靠性的功率管理解决方案中的关键元件。

应用

RH5RI305B-T1广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器和降压电路。
　　2. 汽车电子系统，如电动助力转向系统和智能电池管理。
　　3. 工业设备中的负载开关和保护电路。
　　4. 通信电源和服务器电源模块。
　　5. 高效电机驱动和逆变器。
　　6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关应用。
　　其低导通电阻和高电流处理能力特别适合需要大功率输出和高效率的应用场景。