类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：13A（@TC=100℃）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.44Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：46nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F
　　功率耗散（PD）：125W

P1350ATF FDPF13N50 采用先进的平面工艺制造，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用，如AC-DC电源适配器、工业电源系统和照明镇流器。该MOSFET具备良好的热性能，能够在高电流条件下稳定运行，并具备较强的抗过载能力。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（最高可达20V），支持快速开关操作，有助于减少开关损耗。其TO-220F封装形式不仅便于安装和散热，还具有良好的机械强度和电气隔离性能，适合用于高可靠性要求的应用场景。
　　在动态性能方面，该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷，有助于提升高频开关应用中的效率和响应速度。同时，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在极端工况下的稳定性和耐用性。

P1350ATF FDPF13N50 广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路、电池管理系统、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等。由于其优异的电气特性和高可靠性，该MOSFET也常用于需要高效率与高稳定性的消费类电子和工业级产品中。

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