AON6794 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性,非常适合用于消费电子、通信设备及工业应用中的功率转换和负载切换场景。
AON6794 的封装形式为 LFPAK8(PowerSO8),其小尺寸和低热阻设计使其非常适用于空间受限的设计环境。此外,它还具备出色的散热性能,能够支持高频工作条件下的稳定运行。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:15A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:8nC(典型值)
反向恢复时间:6ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:LFPAK8(PowerSO8)
AON6794 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷,可减少开关损耗。
3. 超短的反向恢复时间,进一步优化高频应用中的表现。
4. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 小巧的 LFPAK8 封装设计,节省 PCB 空间。
6. 高电流承载能力,适合多种大功率应用。
7. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
AON6794 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 电机驱动和负载切换电路。
4. 便携式设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率级控制。
6. 电信设备中的高效功率转换。
7. 其他需要高性能功率 MOSFET 的应用场景。
AON6796, AON6798, IRF7843