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AON6794 发布时间 时间:2025/5/13 11:08:08 查看 阅读:7

AON6794 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性,非常适合用于消费电子、通信设备及工业应用中的功率转换和负载切换场景。
  AON6794 的封装形式为 LFPAK8(PowerSO8),其小尺寸和低热阻设计使其非常适用于空间受限的设计环境。此外,它还具备出色的散热性能,能够支持高频工作条件下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  反向恢复时间:6ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:LFPAK8(PowerSO8)

特性

AON6794 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷,可减少开关损耗。
  3. 超短的反向恢复时间,进一步优化高频应用中的表现。
  4. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 小巧的 LFPAK8 封装设计,节省 PCB 空间。
  6. 高电流承载能力,适合多种大功率应用。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

AON6794 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池管理系统的充放电控制。
  3. 电机驱动和负载切换电路。
  4. 便携式设备中的电源管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制。
  6. 电信设备中的高效功率转换。
  7. 其他需要高性能功率 MOSFET 的应用场景。

替代型号

AON6796, AON6798, IRF7843

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AON6794参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥2.55388卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)39A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)37.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2150 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线