RGP30B是一款基于硅材料的高压功率晶体管,属于PNP型双极性晶体管(BJT)。该器件专为高电压、大电流应用设计,能够承受较高的集电极-发射极击穿电压,并提供稳定的电流放大性能。RGP30B广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他电力电子设备中。
集电极-发射极击穿电压:700V
连续集电极电流:10A
最大功耗:150W
直流电流增益(hFE):20~100
集电极-基极反向击穿电压:50V
发射极-基极反向击穿电压:7V
存储温度范围:-55℃~150℃
工作结温范围:-55℃~150℃
RGP30B具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,适合高压环境下的应用。
2. 较大的电流承载能力,可满足高功率需求。
3. 低饱和电压,在导通状态下能有效降低功耗。
4. 宽温度范围操作,能够在恶劣环境下稳定工作。
5. 高可靠性设计,确保长时间使用中的稳定性。
6. 良好的热性能,有助于散热管理。
RGP30B主要应用于以下领域:
1. 开关电源和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 照明控制中的镇流器和调光器。
5. 各种需要高压大电流控制的电子设备。
6. 电源管理模块中的负载开关或保护电路。
RGP30E, TIP30C, MJ15003