您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RGP30B

RGP30B 发布时间 时间:2025/6/17 14:14:49 查看 阅读:4

RGP30B是一款基于硅材料的高压功率晶体管,属于PNP型双极性晶体管(BJT)。该器件专为高电压、大电流应用设计,能够承受较高的集电极-发射极击穿电压,并提供稳定的电流放大性能。RGP30B广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他电力电子设备中。

参数

集电极-发射极击穿电压:700V
  连续集电极电流:10A
  最大功耗:150W
  直流电流增益(hFE):20~100
  集电极-基极反向击穿电压:50V
  发射极-基极反向击穿电压:7V
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

RGP30B具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,适合高压环境下的应用。
  2. 较大的电流承载能力,可满足高功率需求。
  3. 低饱和电压,在导通状态下能有效降低功耗。
  4. 宽温度范围操作,能够在恶劣环境下稳定工作。
  5. 高可靠性设计,确保长时间使用中的稳定性。
  6. 良好的热性能,有助于散热管理。

应用

RGP30B主要应用于以下领域:
  1. 开关电源和DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
  3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  4. 照明控制中的镇流器和调光器。
  5. 各种需要高压大电流控制的电子设备。
  6. 电源管理模块中的负载开关或保护电路。

替代型号

RGP30E, TIP30C, MJ15003

RGP30B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RGP30B资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • RGP30B
  • SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION F...
  • ZOWIE
  • 阅览
  • RGP30B
  • 3.0A Sintered Glass Passivated Fast ...
  • TAITRON
  • 阅览