类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A（最大值）
　　漏-源电压（VDS）：55V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

BUZ72AL-E3046具有多项显著的技术特性，确保其在各种高要求应用中的可靠性与性能。
　　首先，该MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其RDS(on)最大值为8.5mΩ，在VGS=10V条件下，能够在高电流应用中保持较低的功率损耗。
　　其次，该器件具有高电流处理能力，连续漏极电流可达100A，适用于大功率负载的快速开关控制。此外，漏-源击穿电压为55V，能够满足大多数中压功率应用的需求。
　　另外，BUZ72AL-E3046的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅-源电压，使其适用于多种驱动电路设计。该器件还具备良好的热稳定性和高温工作能力，可在-55°C至+175°C的温度范围内稳定工作，适合在极端环境下使用。
　　最后，其封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，便于自动化生产与散热设计。

BUZ72AL-E3046广泛应用于多个领域，包括：
　　? 开关电源（SMPS）中的高侧和低侧开关
　　? DC-DC降压/升压转换器
　　? 电机驱动和控制电路
　　? 电池管理系统（BMS）中的负载开关
　　? 工业自动化设备中的功率控制模块
　　? 电动工具和电动汽车中的功率电子系统
　　由于其高效率和高耐压特性，该MOSFET在需要高可靠性和高性能的电源转换系统中表现出色。

IRF1404, BSC090N03LS G, FDP100N55NSD