时间：2025/12/26 12:48:33
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DGD2117S8-13是一款由Diodes Incorporated生产的双通道N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件封装于小型化的PowerDI5060-8L封装中，适用于空间受限的高密度电源设计。其主要针对DC-DC转换、同步整流、负载开关以及电机驱动等应用进行了优化，在性能与尺寸之间实现了良好平衡。由于采用了先进的封装技术和晶圆工艺，DGD2117S8-13能够在较小的占位面积内提供出色的热性能和电流处理能力，适合在便携式电子设备、工业控制系统及通信电源模块中使用。
DGD2117S8-13内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，可以配置为高端或低端开关，也可用于桥式拓扑结构中的上下管驱动。每个通道均具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提升系统整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造需求。数据手册标明其工作结温范围为-55°C至+150°C，确保在严苛环境条件下仍能稳定运行。
型号：DGD2117S8-13
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：双N沟道MOSFET
封装/外壳：PowerDI5060-8L
通道数：2
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)（每通道）：9.6A
脉冲漏极电流(IDM)：30A
导通电阻(RDS(on))（最大值）：5.2mΩ @ VGS = 10V, ID = 4.8A
导通电阻(RDS(on))（典型值）：4.5mΩ @ VGS = 10V
阈值电压(Vth)：0.8V ~ 1.5V
输入电容(Ciss)：520pF @ VDS = 10V
反向恢复时间(trr)：典型值12ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
安装类型：表面贴装(SMT)
DGD2117S8-13采用先进的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了传导损耗，提高了电源系统的整体效率。该器件在VGS = 10V时，最大RDS(on)仅为5.2mΩ，使得在大电流应用下也能保持较低的温升，有利于提高系统可靠性并减少散热设计复杂度。同时，低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）使其非常适合高频开关应用，如同步降压变换器和多相VRM设计，能够有效降低驱动损耗并加快开关速度。
该MOSFET具备优异的热性能，得益于PowerDI5060-8L封装的高效散热设计，其热阻(Junction-to-Case)较低，能够在不依赖额外散热片的情况下承受较高的功耗。这种封装还具有较强的机械强度和抗热循环疲劳能力，适合在汽车电子和工业环境中长期运行。此外，器件内部两个MOSFET完全独立，允许灵活配置为半桥、双低端或双高端结构，满足多种电路拓扑需求。
器件的阈值电压范围合理（0.8V~1.5V），可在逻辑电平信号直接驱动下可靠开启，兼容3.3V或5V控制器输出，简化了栅极驱动电路设计。同时，其具备良好的体二极管特性，反向恢复时间短（trr≈12ns），可减少反向恢复带来的开关尖峰和EMI问题，特别适用于需要快速续流响应的应用场景。所有参数均经过高温老化测试和严格筛选，确保产品一致性与长期稳定性。
DGD2117S8-13广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的场合。典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和FPGA供电系统中作为上下管使用，以实现高效率的能量转换。其低RDS(on)和小封装尺寸也使其成为负载开关的理想选择，可用于电源路径管理、电池供电设备中的模块上电控制等场景。
在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，DGD2117S8-13可用于背光驱动、USB电源开关或相机模组供电控制，帮助延长电池续航时间。此外，该器件还可用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动，凭借其快速开关能力和良好热性能，确保电机平稳启停与调速控制。
在通信基础设施领域，该MOSFET可用于电信整流模块、PoE（Power over Ethernet）受电端的同步整流电路中，提升能源利用效率。同时，因其符合AEC-Q101部分应力测试标准，也可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电等对可靠性要求较高的汽车电子子系统中。总之，DGD2117S8-13凭借其高性能与小型化优势，适用于各类中低压、大电流、高频率的开关电源拓扑结构。
DMG2117UFG-13
AOZ5211PI
