RFW244I-C3 时间：2025/7/21 23:55:36 阅读：7

RFW244I-C3是一款由Renesas Electronics设计的射频（RF）晶体管，主要用于高频功率放大器应用。该器件采用先进的硅双极型工艺制造，具有优异的高频性能和可靠性，适用于无线通信基础设施、广播设备和工业控制系统等领域。

参数

类型：射频双极型晶体管（RF BJT）
　　最大集电极电流：1.5A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大发射极-基极电压：3V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　增益带宽积：250MHz
　　最大功耗：30W

特性

RFW244I-C3具有出色的高频性能和高增益特性，能够在250MHz的频率范围内稳定工作。其硅双极型结构提供了良好的线性度和失真控制，适合用于需要高保真度放大的场合。此外，该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热能力，适用于需要长时间高功率运行的应用场景。晶体管的增益带宽积高达250MHz，使其在射频功率放大器中表现出色。同时，其最大集电极电流为1.5A，最大集电极-发射极电压为30V，能够满足高功率输出的需求。在热管理方面，该晶体管具有较高的最大功耗，为30W，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件的低噪声系数和高稳定性也使其在需要低噪声和高可靠性的系统中具有优势。
　　应用上，RFW244I-C3广泛用于无线通信基站、广播发射机、雷达系统、测试仪器以及各种工业和消费类射频设备中。由于其优异的性能指标和广泛的工作温度范围，它也适用于恶劣环境下的长期运行任务。