型号：ECH8601R-H-TL-E
　　封装类型：DFN-8（3mm×3mm）
　　输入电压范围：4.5V～18V
　　输出电压范围：0.8V～5.5V（可调）
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：典型值500kHz
　　控制模式：COT（恒定导通时间）
　　静态电流：典型值60μA
　　工作效率：最高可达95%
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　工作结温范围：-40°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　导通电阻（HS-FET）：典型值50mΩ
　　导通电阻（LS-FET）：典型值35mΩ

ECH8601R-H-TL-E采用恒定导通时间（COT）控制架构，具备极快的瞬态响应能力，能够迅速应对负载电流的突变，显著降低输出电压的过冲与下冲，确保系统在动态负载条件下的稳定性。这一特性特别适用于为处理器、FPGA、ASIC等数字负载供电，因其在启动、休眠或高速运算切换过程中会产生剧烈的电流波动。COT控制无需外部环路补偿元件，简化了设计流程，同时保持良好的环路稳定性。
　　该芯片集成了低导通电阻的上下桥臂MOSFET，减少了导通损耗，提高了整体转换效率，尤其在中高负载条件下表现优异。结合优化的栅极驱动设计，开关损耗也被有效抑制，进一步提升了能效。芯片支持宽输入电压范围（4.5V～18V），可直接由12V系统总线供电，省去了前级预稳压器的需求，适用于多种主流电源架构。
　　在保护机制方面，ECH8601R-H-TL-E内置多重安全功能。当输出发生短路或过流时，芯片自动进入打嗝模式（hiccup mode），限制输出电流并周期性尝试重启，避免持续过热损坏。过温保护在芯片温度超过安全阈值时强制关断输出，待温度下降后自动恢复工作。此外，输入欠压锁定功能防止芯片在电源未完全建立时误启动，保障上电过程的可靠性。
　　DFN封装具有优良的散热性能，底部裸露焊盘可通过PCB地层高效散热，增强功率处理能力。芯片还具备良好的电磁兼容性（EMC）设计，通过优化开关节点波形和内部布局，降低传导和辐射噪声，符合工业级EMI标准。这些综合特性使ECH8601R-H-TL-E成为高性能、高可靠性电源解决方案的理想选择。

ECH8601R-H-TL-E广泛应用于需要高效、小体积、高稳定性的直流电源转换场景。在消费类电子产品中，常见于智能电视、机顶盒、网络摄像头和家庭网关设备中，为SoC、内存、图像处理器等核心部件提供稳定的低压供电。由于其出色的瞬态响应能力，特别适合为高性能数字负载如ARM架构处理器、DSP芯片和嵌入式控制器供电，在负载频繁变化时仍能维持电压稳定。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC模块、传感器供电单元、HMI人机界面和工业网关等设备的电源管理，适应宽温、宽压的工作环境，确保系统长期稳定运行。其高集成度和外围元件少的特点有助于缩小电源模块体积，提升整机防护等级。
　　通信基础设施中，如企业级路由器、交换机、光模块电源等，也常采用ECH8601R-H-TL-E作为中间轨电源（Intermediate Bus Converter）或点负载电源（Point-of-Load, PoL），将12V主电源降至3.3V、2.5V或1.8V等所需电压等级。
　　此外，便携式医疗设备、测试仪器、LED驱动电源等对电源效率和可靠性要求较高的应用也适用该芯片。其无补偿设计和高PSRR（电源抑制比）特性有助于减少噪声对敏感模拟电路的干扰，提升系统整体性能。总之，凡是对空间、效率、响应速度有较高要求的中等功率DC-DC转换应用，均可考虑使用ECH8601R-H-TL-E作为理想解决方案。

CH8601E-TF
　　CMT4201AHX
　　MP2451DJ-LF-Z
　　SY8303ABC