类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：19.2A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：530pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

RB5A264具备出色的导通特性和快速开关能力，这主要得益于其采用的先进沟槽型MOSFET结构。该结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流承载能力和更低的功率损耗。其典型的Rds(on)仅为26mΩ（在Vgs=10V条件下），即使在较低的驱动电压（如4.5V）下也能保持32mΩ的低阻状态，确保在电池电压下降时仍能维持高效运行。这种低导通电阻特性对于提高电源转换效率至关重要，尤其是在大电流输出的同步整流电路中，能够有效减少发热并提升系统稳定性。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg=10nC）和输入电容（Ciss=530pF），这意味着它在高频开关应用中所需的驱动能量更少，有利于降低控制器的负担并提升整体开关频率。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，因为更高的开关频率可以减小外围电感和电容的体积，从而实现更紧凑的电源设计。此外，RB5A264的反向恢复时间较短（trr=18ns），在与体二极管相关的续流过程中表现出色，减少了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　从可靠性角度看，RB5A264的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在严苛的环境温度下稳定工作，适用于工业级应用场景。其封装采用符合RoHS标准的无铅材料，并具备良好的散热性能，通过PCB焊盘即可实现有效热传导。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗过压能力，防止因驱动信号异常导致的器件损坏，增强了系统的鲁棒性。综合来看，RB5A264是一款兼顾性能、效率与可靠性的N沟道MOSFET，特别适合对空间和能效有严格要求的应用场合。

RB5A264常被用于各类低电压、中等电流的开关电源拓扑中，例如 buck（降压）、boost（升压）和buck-boost（升降压）转换器，作为主开关或同步整流开关使用。其低导通电阻和快速开关特性使其在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中发挥重要作用，帮助延长电池续航时间。此外，在LED驱动电路中，RB5A264可用于恒流调节或开关控制，提供稳定的亮度输出。
　　在电机控制领域，该器件可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，实现正反转和调速功能。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，简化了驱动电路设计，降低了系统成本。在电源管理模块中，RB5A264也常用于负载开关、热插拔控制和电源多路复用等场景，实现对不同电源轨的通断控制，防止浪涌电流影响系统稳定性。
　　工业自动化设备、传感器模块、IoT终端节点等对功耗敏感的系统也广泛采用RB5A264进行电源路径管理。其小型封装便于集成到高密度PCB布局中，而优异的热性能则保证了长时间工作的可靠性。此外，在适配器、充电器和USB PD电源模块中，RB5A264可用于次级侧整流或同步整流，替代传统肖特基二极管以提升转换效率。总体而言，RB5A264凭借其高性能和灵活性，已成为现代低功耗、高效率电子系统中不可或缺的关键元件之一。

DMG2302UK-7
　　FDS6670A
　　AO3400
　　SI2302DS