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GA1206A151JXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:29:12 查看 阅读:6

GA1206A151JXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和稳定性。
  这款芯片适用于需要高效能和低损耗的应用场景,例如工业自动化设备、消费类电子产品以及通信电源等。通过优化的封装设计和卓越的电气性能,GA1206A151JXBBT31G能够在高频工作条件下提供稳定的输出,并具备出色的散热性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.4mΩ(典型值)
  栅极电荷:75nC(容:1350pF
  功耗:325W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A151JXBBT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频开关应用,减少开关损耗。
  3. 优秀的热稳定性和可靠性,支持长时间运行。
  4. 内置ESD保护功能,增强器件抗静电能力。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的应用需求。
  这些特点使得该芯片成为众多电力电子设备的理想选择。

应用

GA1206A151JXBBT31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  4. 工业设备中用于逆变器、变频器的设计。
  5. 数据中心及通信设备中的高效电源模块开发。
  其强大的性能使其在各种复杂工况下均能保持优异的表现。

替代型号

GA1206A151JXBHBT31G, IRF7822, AO6800

GA1206A151JXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-