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MMBFJ177LT1G 发布时间 时间:2025/5/13 10:35:05 查看 阅读:5

MMBFJ177LT1G 是一款 NPN 型小信号晶体管,属于飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出的 MBF 系列。它通常用于高频开关和放大应用中,具有较高的增益带宽积、低噪声特性和良好的线性性能。
  该晶体管采用 SOT-23 封装形式,体积小巧,非常适合于空间受限的设计场景。其典型应用场景包括射频电路、音频放大器、信号调节电路以及各种消费类电子设备。

参数

集电极-发射极击穿电压:40V
  集电极最大电流:200mA
  直流电流增益(hFE):最小值100,最大值600
  特征频率(fT):900MHz
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

MMBFJ177LT1G 晶体管的突出特性包括:
  1. 高频响应能力,适合射频和高速开关应用。
  2. 具有较大的增益带宽积,保证了在高频条件下依然具备优秀的放大能力。
  3. 超低噪声设计,适用于高保真音频信号放大。
  4. SOT-23 小型化封装,能够有效减少 PCB 占用面积并简化布局。
  5. 工作温度范围广,能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

MMBFJ177LT1G 的主要应用领域包括:
  1. 射频放大和调制解调电路。
  2. 消费类电子产品中的音频信号处理。
  3. 开关电源驱动级及辅助放大功能。
  4. 高速数据通信接口保护与信号调节。
  5. 各种手持设备和便携式电子产品的内部电路设计。

替代型号

MMBT3904LT1G, BC847B

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MMBFJ177LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)1.5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id800mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds11pF @ 10V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开)300 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBFJ177LT1GOSMMBFJ177LT1GOS-NDMMBFJ177LT1GOSTR