RFW1G35H20-28 时间：2025/8/15 16:56:39 阅读：19

RFW1G35H20-28 是一款由 Remcom（现为 Ansys 的一部分）制造的射频功率晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的高功率射频晶体管系列。该器件专为高频、高功率应用而设计，常见于射频放大器、通信系统、广播设备以及测试仪器等领域。RFW1G35H20-28 在 2.7 GHz 频段附近具有出色的性能，支持高效率和高线性度的放大操作，适用于蜂窝基站、WiMAX、DVB-T 和其他宽带通信系统。

参数

类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　工作频率：2.5 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：350 W（典型值）
　　工作电压：28 V
　　增益：22 dB（典型值）
　　效率：40% 以上
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　封装类型：金属陶瓷封装
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

RFW1G35H20-28 拥有卓越的射频性能和热稳定性，能够在高频段提供高输出功率和高效率。该器件采用了先进的 LDMOS 技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，从而在高频应用中实现更高的能量转换效率。
　　其高线性度特性使其适用于现代通信系统中对信号失真要求极高的场合，如 LTE 和 5G 基站的功率放大器设计。此外，该晶体管具有良好的热管理和稳定性，能够在恶劣环境下长时间稳定运行。
　　RFW1G35H20-28 的输入和输出匹配网络经过优化，能够减少外部元件的数量，从而简化电路设计并提高系统可靠性。其金属陶瓷封装结构提供了优异的机械强度和热传导性能，有助于提高器件在高功率运行时的稳定性。
　　此外，该晶体管具有良好的抗失真能力和高互调性能，适用于多种宽带和窄带应用。其设计还支持高反射负载条件下的运行，增强了其在复杂系统环境中的适应能力。

应用

RFW1G35H20-28 主要用于通信基础设施，如蜂窝基站、WiMAX 基站和 DVB-T 发射机等场景中的高功率射频放大器设计。它也广泛应用于测试和测量设备、广播发射器以及工业射频加热系统中。
　　在 4G/5G 移动通信系统中，该晶体管可用于实现高效的射频功率放大，满足高速数据传输和高质量信号覆盖的需求。同时，其高线性度和高效率特性也使其成为软件定义无线电（SDR）系统和多频段通信设备的理想选择。
　　在广播领域，RFW1G35H20-28 可用于数字电视和调频广播发射机的射频功率放大器模块，提供稳定的高功率输出和优异的信号质量。此外，在工业和医疗射频设备中，该器件也可用于射频能量传输和加热控制应用。