B58258 时间：2025/7/28 13:20:55 阅读：6

B58258 是一款由 Broadcom（安华高）制造的射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大应用。该器件基于 GaAs（砷化镓）技术，具有良好的高频性能和线性度，适合应用于无线通信、蜂窝基站和射频测试设备等领域。B58258 通常采用表面贴装封装，便于在现代射频系统中集成。

参数

类型：GaAs FET射频功率晶体管
　　工作频率：2.4 GHz至2.5 GHz
　　最大输出功率：25 W（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

B58258 具有出色的射频性能和稳定性，适用于高频率、高功率的应用环境。该器件采用先进的 GaAs 技术制造，确保了在高频段（2.4 GHz至2.5 GHz）内的优异性能。B58258 的典型输出功率为 25 W，在该频段内具有较高的增益（约 14 dB）和效率（约 40%），适用于需要高线性度和低失真的射频功率放大器设计。
　　此外，B58258 的漏极电压为 28 V，这使得它能够在较高的电压下工作，提供更强的功率输出能力。其输入驻波比（VSWR）最大为 2.5:1，表明该器件在输入端口具有良好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射，提高系统的稳定性。
　　该晶体管采用表面贴装封装（SMT），便于在高密度 PCB 设计中使用，并具有良好的热管理和散热性能，确保在高功率应用中的长期可靠性。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在各种工业和商业环境中使用。

应用

B58258 主要用于无线通信系统中的射频功率放大器设计，如蜂窝基站、Wi-Fi 5/6 前端模块、射频测试设备和工业控制设备。由于其高频性能和高输出功率能力，B58258 也非常适合用于 2.4 GHz ISM 频段的无线应用，如 ZigBee、蓝牙和 Wi-Fi 通信系统。此外，该器件还可用于射频信号发生器、射频测试仪和其他射频功率放大应用场景。