时间：2025/8/25 5:34:20
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RFV10N50 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压、高功率应用。该器件具有低导通电阻和高耐压能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和各种工业设备中的功率管理。RFV10N50 采用了先进的沟槽技术，以提高导通性能并降低开关损耗。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.65Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
RFV10N50 MOSFET 具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，它的最大漏源电压为 500V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入环境。该器件的最大漏极电流为 10A，能够处理相对较大的负载电流，适用于中高功率系统。导通电阻 RDS(on) 的最大值为 0.65Ω，这一较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，RFV10N50 的栅源电压范围为 ±30V，提供了较高的栅极驱动灵活性，并确保在各种控制电路中的稳定性。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通性能并减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，确保了在极端环境下的可靠运行。封装形式为 TO-220AB，这种封装具有良好的热管理和机械稳定性，适用于工业级应用。这些特性使得 RFV10N50 成为功率转换和控制应用的理想选择。
RFV10N50 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高电压和中高功率处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动电路、工业自动化设备、照明系统（如 HID 灯驱动器）以及家电中的功率控制模块。此外，它还可以用于电池管理系统、逆变器和不间断电源（UPS）等应用中。
TK10A50D, IRF840, FQA10N50, STP10NK50Z
